Transístor AOTF10N60 N-MOSFET unipolar 600V 6,4A TO220F

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Tipo de transístor
N-MOSFET

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
600V

Corrente de dreno
6,4A

Carcaça
TO220F

Tensão porta-fonte
±30V

Resistência no estado de condução
750m?

O AOTF10N60 é um transistor de efeito de campo (FET) de potência, especificamente um MOSFET de canal N, projetado para aplicações de comutação e amplificação em circuitos eletrónicos de potência.

Este dispositivo é fabricado usando a tecnologia de silício avançada e possui características elétricas que o tornam adequado para aplicações de alta tensão e corrente. O "10N60" no nome refere-se às suas características de tensão nominal (10V) e corrente nominal (60A), indicando a sua capacidade de lidar com correntes e tensões relativamente altas.

O AOTF10N60 é um MOSFET de canal N, o que significa que a condução de corrente ocorre entre o dreno (D) e a fonte (S) quando uma tensão adequada é aplicada ao terminal de gate (G). O terminal de gate é controlado por um sinal de tensão, permitindo ligar e desligar o dispositivo de forma rápida e eficiente.

Este transistor possui uma baixa resistência em estado ligado (resistência de condução), o que resulta em uma menor dissipação de energia e, consequentemente, menor aquecimento durante a operação. Isso o torna ideal para aplicações de alta potência, onde a eficiência e a capacidade de lidar com correntes significativas são necessárias.

Além disso, o AOTF10N60 apresenta uma boa capacidade de bloqueio de tensão, o que significa que é capaz de suportar altas tensões reversas entre o dreno e a fonte sem sofrer danos. Isso o torna adequado para aplicações em circuitos que exigem comutação de alta tensão.

É importante seguir as especificações do fabricante ao utilizar o AOTF10N60 em um projeto eletrónico. As informações sobre os pinos de conexão, as características elétricas e as condições de operação seguras podem ser encontradas no datasheet do dispositivo, fornecido pelo fabricante.

Em resumo, o AOTF10N60 é um transistor de potência MOSFET de canal N, projetado para aplicações de comutação e amplificação em circuitos eletrónicos de potência. Com sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões, juntamente com uma baixa resistência em estado ligado, ele é adequado para projetos que requerem alta potência e eficiência.