Transístor IGBT 600V 8A 65W

STGP8NC60KD

Tipo de transístor
IGBT

Tensão coletor-emissor
600V

Corrente do coletor
8A

Potência dissipada
65W

Carcaça
TO220AB

Tensão porta - emissor
±20V
transistor igbt de potencia
Corrente do coletor no impulso
30A

O transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) é um dispositivo semicondutor que desempenha um papel crucial na eletrónica de potência. Eles são utilizados para controlar e amplificar a corrente elétrica em circuitos de alta potência, sendo frequentemente empregados em aplicações industriais, como inversores de frequência, fontes de alimentação, motores de tração, sistemas de energia renovável e muito mais.

O IGBT é uma combinação de dois dispositivos semicondutores distintos: o MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) e o BJT (Bipolar Junction Transistor). Essa fusão permite que o transistor IGBT combine a facilidade de controle do MOSFET com a capacidade de condução de corrente do BJT.

A estrutura básica de um IGBT é composta por uma camada de silício semicondutor, a qual possui uma estrutura em sanduíche. Em seu núcleo, há uma região tipo p (positiva), seguida por uma região tipo n (negativa) e, por fim, uma camada tipo p novamente. Em ambos os lados da estrutura, encontram-se placas metálicas denominadas de gates, que controlam a passagem da corrente entre o coletor e o emissor.

A principal vantagem dos IGBTs é a sua capacidade de suportar tensões elevadas e altas correntes, tornando-os ideais para aplicações de alta potência. Além disso, possuem baixa resistência quando estão conduzindo corrente, resultando em perdas de energia reduzidas e maior eficiência.

A eletrónica de potência tem beneficiado enormemente com os avanços tecnológicos dos transistores IGBT, permitindo o desenvolvimento de sistemas de controle mais sofisticados e eficientes. Esses dispositivos são essenciais em aplicações que requerem variação de velocidade, controle de tensão e regulação precisa de corrente elétrica.