Tipo de transístor
N-MOSFET

Tecnologia
HEXFET®

Polarização
unipolar
irf1010 datasheet
Tensão dreno-fonte
60V

Corrente de dreno
84A

Potência dissipada
140W

Carcaça
TO220AB

Tensão porta-fonte
±20V

Resistência no estado de condução
8,5m?

Montagem
THT

Carga da porta
58nC

O IRF1010EZPBF é um transistor de efeito de campo de potência (MOSFET) amplamente utilizado em aplicações de eletrónica de potência. Ele faz parte da família de dispositivos IRF1010, projetados para lidar com altas correntes e tensões.

O IRF1010EZPBF é projetado para operar em altas correntes contínuas e possui uma baixa resistência de condução (RDS(on)), o que o torna eficiente em aplicações de comutação de alta potência. Com uma tensão de drenagem (VDS) nominal de 55V e uma corrente de drenagem contínua (ID) de 84A, o IRF1010EZPBF pode lidar com uma ampla gama de aplicações, desde fontes de alimentação chaveadas até controle de motores.

Além disso, o IRF1010EZPBF possui uma construção robusta que lhe confere uma alta resistência a picos de corrente e tensão. Isso o torna adequado para aplicações em que ocorrem transientes de carga elevados, como motores e sistemas de acionamento.

O transistor é encapsulado num invólucro TO-220, o que facilita a sua montagem em placas de circuito impresso (PCBs) e permite a dissipação eficiente de calor. A dissipação de calor é um fator crítico para o bom funcionamento do transistor, pois ele pode gerar calor significativo durante a operação em altas correntes. Portanto, é importante considerar a utilização de dissipadores de calor adequados e implementar medidas de gestão térmica adequadas.

Em resumo, o IRF1010EZPBF é um transistor de potência MOSFET utilizado em aplicações de eletrónica de potência que requerem alta corrente e tensão. Com sua baixa resistência de condução, ele oferece eficiência em aplicações de comutação de alta potência. Sua construção robusta e alta resistência a transientes de corrente e tensão tornam-no adequado para aplicações exigentes. A montagem fácil em invólucro TO-220 e a gestão térmica adequada são essenciais para garantir o bom funcionamento do transistor.