Transistor IRF840PBF N-MOSFET unipolar 500V 5,1A Idm: 32A 125W

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Tipo de transístor
N-MOSFET

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
500V

Corrente de dreno
5,1A

Corrente de dreno em impulso
32A

Potência dissipada
125W

Carcaça
TO220AB

Tensão porta-fonte
±20V

Resistência no estado de condução
850m?

Montagem
THT

Carga da porta
63nC

O IRF840PBF é um transistor de efeito de campo (FET) de potência utilizado em várias aplicações eletrónicas. Pertence à família de dispositivos IRF840, que é amplamente reconhecida pela sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões.

Este transistor de potência apresenta uma tensão máxima de dreno-fonte (Vds) de 500V e uma corrente máxima de dreno (Id) de 5A. Possui uma resistência de canal muito baixa (Rds(on)), o que significa que possui uma queda de tensão reduzida quando está em condução, tornando-o eficiente e adequado para aplicações que requerem alta potência.

O IRF840PBF é tipicamente utilizado em circuitos de comutação, conversores de potência, inversores, fontes de alimentação, motores, entre outros dispositivos de potência. A sua capacidade de suportar altas correntes e tensões faz dele uma escolha popular em aplicações industriais e de automação.

Este transistor de potência é fornecido num invólucro TO-220, o que permite uma fácil montagem e dissipação de calor. É importante seguir as especificações do fabricante em relação ao dimensionamento e arrefecimento adequados do transistor, para garantir o seu desempenho fiável e prolongar a sua vida útil.

Em resumo, o IRF840PBF é um transistor de potência amplamente utilizado em várias aplicações eletrónicas que exigem alta potência. Com a sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões, é uma escolha popular em circuitos de comutação, conversores de potência e fontes de alimentação. O seu invólucro TO-220 permite uma fácil montagem e dissipação de calor, sendo importante seguir as especificações do fabricante para garantir o seu correto funcionamento.