Transístor IRFB38N20DPBF N-MOSFET unipolar 200V 44A 320W

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Tipo de transístor
N-MOSFET

Tecnologia
HEXFET®

Polarização
unipolar
mosfet irf
Tensão dreno-fonte
200V

Corrente de dreno
44A

Potência dissipada
320W

Carcaça
TO220AB

Tensão porta-fonte
±30V

Resistência no estado de condução
54m?

O IRFB38N20DPBF é um transistor de potência MOSFET de canal N, projetado para aplicações que exigem alta potência e baixa resistência de condução. Ele pertence à família IRFB38N20D e é amplamente utilizado em diversos dispositivos eletrónicos e sistemas de potência.

O IRFB38N20DPBF possui uma estrutura MOSFET de canal N, o que significa que a corrente flui do dreno (D) para a fonte (S) quando uma tensão adequada é aplicada ao gate (G). Esse tipo de transistor é amplamente utilizado em circuitos de comutação e amplificação de sinal.

A principal característica do IRFB38N20DPBF é sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões, tornando-o adequado para aplicações de alta potência. Além disso, ele possui uma baixa resistência de condução, o que minimiza as perdas de energia e permite uma eficiência energética mais elevada.

O IRFB38N20DPBF é fornecido em um invólucro TO-220, que oferece uma boa dissipação de calor e facilidade de montagem em placas de circuito impresso. É importante seguir as recomendações do fabricante em relação ao layout do circuito e ao dimensionamento adequado dos componentes para garantir um desempenho confiável do transistor.

Em resumo, o IRFB38N20DPBF é um transistor de potência MOSFET de canal N amplamente utilizado em aplicações que requerem alta potência e baixa resistência de condução. Sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões o torna adequado para sistemas de potência e outros dispositivos eletrónicos que exigem uma operação eficiente e confiável. A escolha do invólucro TO-220 facilita a montagem e a dissipação de calor, garantindo um desempenho estável e duradouro.