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Transístor IRLR8726TRPBF Mosfet N-MOSFET unipolar 30V 61A Idm: 340A 75W

IRLR8726

RLR8726

O IRLR8726TRPBF é um transístor MOSFET de potência do tipo N-Channel fabricado pela Infineon Technologies (anteriormente IR - International Rectifier).

Características principais:
Tipo: MOSFET canal N
Tensão máxima (Drain-Source): 30 V
Corrente máxima: até 61A (dependendo das condições)
Resistência em condução (Rds(on)): Muito baixa, cerca de 8,7 mΩ (miliohm)
Tecnologia: HEXFET®, especialmente concebida para comutação de alta eficiência e baixas perdas energéticas

Características destacáveis:
Baixas perdas energéticas:
A resistência de condução extremamente baixa (8,7 mΩ) reduz significativamente as perdas térmicas e melhora a eficiência geral do circuito.
Alta velocidade de comutação:
Este MOSFET permite a comutação rápida, o que é ideal para conversores DC-DC, controladores PWM e outras aplicações que exigem precisão e desempenho rápido.
Excelente desempenho térmico:
O encapsulamento D-PAK facilita a dissipação eficiente de calor, permitindo operação estável mesmo em altas correntes e temperaturas.
Conformidade RoHS (TRPBF):
A versão TRPBF indica que o componente é livre de chumbo e ambientalmente compatível.

Aplicações mais comuns:
Controlo de motores DC (Corrente Contínua):
Muito utilizado em pontes H, controladores PWM, e sistemas de acionamento de motores elétricos.
Conversores DC-DC (Buck converters e Boost converters):
Frequentemente usado para comutar alta corrente em fontes de alimentação reguladas, sistemas solares e eletrónica automóvel.
Sistemas automóveis e industriais:
Comutações de cargas elevadas, controladores de velocidade, sistemas de gestão energética e sistemas eletrónicos automóveis como sistemas de iluminação e relés eletrónicos.
Fontes de alimentação comutadas (SMPS):
Ótimo desempenho em fontes compactas e eficientes, onde é essencial minimizar perdas energéticas e o aquecimento.
Sistemas de proteção e controlo de baterias:
Devido à baixa tensão e alta corrente permitidas, é ideal para sistemas de gestão e proteção de baterias (BMS).

Fabricante
INFINEON TECHNOLOGIES

Tipo de transístor
N-MOSFET

Tecnologia
HEXFET®

Polarização
unipolar

Tensão dreno-fonte
30V

Corrente de dreno
61A

Corrente de dreno em impulso
340A

Potência dissipada
75W

Caixa
DPAK

Tensão descarga-fonte
±20V

Resistência no estado de condução
5,8mΩ

Montagem
SMD

Espécie de canal
enriquecido