Transistor MOSFET IRF510N ----------- 5,6A / 100 V
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Transistor MOSFET IRF510N ----------- 5,6A / 100 V
O Transistor MOSFET IRF510N é um transistor de efeito de campo (FET) de potência. Ele é projetado para aplicações que exigem alta corrente e baixa resistência em modo de chaveamento. O IRF510N é um MOSFET de canal N, o que significa que ele utiliza um canal de condução formado por um material semicondutor N.
O Transistor IRF510N possui três terminais: dreno (D), fonte (S) e gate (G). Quando uma tensão adequada é aplicada ao terminal gate, o MOSFET permite a passagem da corrente entre o terminal dreno e o terminal fonte.
O IRF510N é capaz de suportar altas correntes contínuas de até 5,6A e uma tensão de dreno-fonte de até 100V. Ele apresenta uma baixa resistência em condução (conhecida como resistência "on") e, portanto, possui uma baixa queda de tensão quando está ligado.
Esse transistor é amplamente utilizado em aplicações de comutação de potência, como acionamento de motores, circuitos de alimentação de alta corrente, inversores de frequência e sistemas de controle de potência. Também é comumente encontrado em projetos de automação residencial e em circuitos de controle de carga de potência moderada.
O encapsulamento típico para o IRF510N é o TO-220, que permite uma fácil montagem em dissipadores de calor para garantir a dissipação adequada de calor durante a operação.
Em resumo, o Transistor MOSFET IRF510N é um componente de potência de canal N que oferece alta corrente e baixa resistência em modo de chaveamento. Sua capacidade de suportar altas correntes e tensões o torna adequado para aplicações de potência, como acionamento de motores, inversores e circuitos de controle de carga.
