Transístor STF13NM60ND N-MOSFET unipolar 600V 11A Idm: 44A 25W
2 unidades em stock | SKU: LPM005117
(1114)
Tipo de transístor
N-MOSFET
Polarização
unipolar
Tensão dreno-fonte
600V
Corrente de dreno
11A
Corrente de dreno em impulso
44A
Potência dissipada
25W
Carcaça
TO220FP
Tensão porta-fonte
±25V
Resistência no estado de condução
360m?
O STF13NM60ND é um transistor de potência que desempenha um papel fundamental em muitos sistemas eletrónicos. Pertencente à família de dispositivos MOSFET, este transistor foi desenvolvido pela STMicroelectronics, uma renomada empresa de semicondutores.
O STF13NM60ND é um transistor de canal N com uma tensão de dreno para a fonte (VDS) de 600 volts e uma corrente contínua de dreno (ID) de 11 amperes. Essas especificações tornam-no adequado para aplicações que exigem altas tensões e correntes, como inversores de potência, fontes de alimentação, acionamentos de motores e sistemas de conversão de energia.
Uma característica importante do STF13NM60ND é sua baixa resistência de condução (RDS(on)), que é a resistência entre o dreno e a fonte quando o transistor está ligado. Com uma resistência típica de apenas alguns milésimos de ohm, o transistor apresenta uma menor dissipação de energia e uma maior eficiência em comparação com outros dispositivos similares.
Além disso, o STF13NM60ND possui uma capacidade de comutação rápida, o que significa que pode ligar e desligar rapidamente em resposta a sinais de controlo. Essa característica é especialmente vantajosa em aplicações onde é necessário um controle preciso da potência, como sistemas de amplificação de áudio de alta fidelidade ou inversores de frequência para acionamento de motores.
É importante ressaltar que, ao utilizar o STF13NM60ND, é necessário observar as especificações e recomendações do fabricante para garantir o seu correto funcionamento e evitar danos. Isso inclui considerar a dissipação de calor adequada e o uso de técnicas de proteção, como circuitos de proteção contra sobretensão ou sobrecorrente.
Em suma, o STF13NM60ND é um transistor de potência confiável e eficiente, projetado para aplicações que exigem altas tensões e correntes. Sua baixa resistência de condução e capacidade de comutação rápida o tornam uma escolha popular em projetos que buscam alto desempenho e eficiência energética.